【本文来自《华为公布半导体领域重磅突破》评论区，标题为小编添加】

传统的提高单位面积晶体管密度（例如从14nm提高到7nm，从7nm提高到3nm），以提高芯片性能的方法，是一种很“单纯”的物理方法，其局限性在于随着逼近“半导体的物理极限”，工艺难度大幅增加，全过程工艺成本会“指数级”增加，“性价比”会大幅降低。

关于这一点，本人30多年前就曾经从事过有关“磁记录芯片（用于软盘、硬盘）”制造工作（尽管“彼芯片”非“此芯片”），负责全生产过程的“芯片良率”控制与提高工作，故而对此有切身体会与经验教训。

尽管“磁记录芯片”现在已经不是市场应用主流（软盘已基本淘汰，硬盘应用范围也大幅收窄），但很多人或许不知道的是，早在上世纪90年代初，“磁记录芯片”的制造工艺精度（即所谓“制程”）就已经到了1微米 以下，而当时半导体芯片的制程还只能达到2微米左右，也就是说30多年前，“半导体芯片”的工艺制程精度是比不过“磁记录芯片”的。

但是，在相关工艺制程精度的“物理极限”方面，“磁记录芯片”的“软盘”是500纳米至200纳米左右，硬盘是50纳米至20纳米左右，远远不及我们今天所知的“半导体芯片”的5纳米至2纳米左右，这也是后来“半导体芯片”技术能迅速“后来居上”的重要原因之一。

因此，一旦某项技术逼近其“物理极限”，单纯地与“物理极限”进行“死磕”其实是很不明智的做法。这就好比我们读书时考试的“单科”成绩（例如“物理”成绩），从不及格的40分稳定提高到70分，你可能只需要付出5分努力，而从70分稳定提高到85分，你可能需要付出10分的努力，而从85分稳定提高到90分，你可能需要付出的是20分的努力甚至更多。此时，你就要考虑所谓在某一“单科”上的“投入产出比”了，毕竟“高考”更要看的是各单科成绩之和的“总分”。

华为所提出的关于芯片的“韬（τ）定律”，以及“逻辑折叠(LogicFolding)”等核心技术，就是试图通过构建贯穿“器件、电路、芯片”到“系统层面”的“多层级协同优化体系”，来达到“总分（总成绩）”的最大与最优，这比单存依赖“芯片制程最优”更有“性价比”，因而，未来或将可能使得“高端电子产品（如手机终端）”以及“AI算力”的获得成本被大幅降低，可以更好地惠及普通民众。