4月22日，韩国存储芯片制造商SK海力士表示，计划投资19万亿韩元（约合128.5亿美元），在韩国本土建设一座新的先进封装制造工厂，以满足全球对人工智能存储器不断增长的需求。

SK海力士在声明中写道，新的芯片制造厂将专门用于先进封装工艺，这一工艺对于制造诸如高带宽存储器（HBM）芯片等人工智能存储产品至关重要。该工厂将于本月开始动工建设。

除布局韩国本土产能外，SK海力士也在加快推进美国的先进封装项目。根据《Herald Economy》报道，该公司已正式在美国印第安纳州动工建设其首座半导体工厂，这标志着其2024年投资计划公布约两年后迈出重要一步。

这座美国工厂预计将在2028年下半年进入全面量产阶段，主要用于下一代AI存储产品的生产，包括HBM。按照规划，7代与8代HBM产品，即HBM4E与HBM5，将成为该工厂的核心生产产品。

报道称，SK海力士已于4月17日通知当地社区，开始进行“打桩工程”，即在正式建造结构前进行地基桩施工。这一阶段预计持续数月，业内普遍认为，项目最快将于2026年下半年进入主体建筑施工阶段。

考量SK海力士投资先进封装厂的核心原因，在于AI时代HBM产业竞争逻辑发生了结构性变化。

HBM已经不再是单一DRAM产品，而是由DRAM堆叠、TSV互联与2.5D/3D先进封装共同构成的系统级内存，因此产业瓶颈正从晶圆制造转向封装与系统整合能力。

随着AI GPU需求持续爆发，封装产能成为限制HBM出货的关键环节，而不仅是DRAM产能不足。

同时，HBM需要与NVIDIA等AI芯片厂商深度协同设计，封装环节决定性能、功耗与良率，因此“贴近客户+联合设计”成为趋势。

SK海力士在美国建设封装基地，有助于缩短交付周期并嵌入AI服务器供应链，更紧密绑定AI生态。

此外，先进封装也是HBM价值链中利润率更高的环节，企业通过向封装延伸，可以提升整体盈利能力并强化客户黏性，也可避免受制于第三方封装厂。

因此，建设封装厂本质上是从“芯片供应商”向“AI内存系统方案提供商”升级，以争夺下一代HBM4、HBM5时代的市场主导权。

从竞争格局来看，三星封装实力同样突出，拥有2.5D的I-Cube和HCube及3D的X-Cube等方案，美光也在多点布局。

美光的封装布局本质上是典型IDM路径下的“全球分散式ATMP体系”，更注重产能灵活性与成本平衡，并未围绕HBM建立高度垂直整合的专用封装产能。

另一方面，SK海力士也在同步推进DRAM产能扩张。

《The Elec》报道称，公司计划在清州M15X工厂第四阶段洁净室于3月开放后开始设备导入。同时，龙仁半导体集群的首座工厂预计将在2027年2月完成洁净室建设，进一步推进整体扩产计划。

此外，《韩国先驱报》指出，先进制程设备方面同样关键。SK海力士计划在主要生产线上部署约20台来自ASML的极紫外光（EUV）光刻机，以支撑下一代DRAM制程升级。

作为英伟达的主要供应商，SK海力士一直在扩大生产规模，以满足对人工智能数据中心的强劲需求。

今年早些时候，SK海力士就曾指出，公司已加快产能扩张步伐，包括提前启用韩国的一家新存储芯片工厂，以满足不断增长的需求。

4月20日，SK海力士发布声明称，已开始大规模生产专为英伟达下一代Vera Rubin人工智能芯片设计的下一代内存模块SOCAMM2。

公司表示，这些新产品将“从根本上解决在大型语言模型的训练和推理过程中遇到的内存瓶颈问题”。它还强调，SOCAMM2产品与传统的RDIMM2相比，带宽提高了一倍以上，能效提高了75%以上，为高性能人工智能操作提供了优化的解决方案。

为支撑扩产与布局计划，SK海力士还在筹备资金，韩国SK海力士公司正计划通过赴美上市的方式，筹集10万亿至15万亿韩元（约合67亿至100亿美元）的资金。

据业内消息人士透露，这家韩国芯片制造商计划发行新股，以进行美国存托凭证（ADR）的上市交易。据悉，SK海力士将把募来的资金用于建设人工智能基础设施，比如在韩国龙仁市建设半导体集群，以及扩大存储产品的产能。

SK海力士的一位发言人就该报道回应称，“旨在提升股东价值的各种措施，包括美国存托凭证，目前正处于审查阶段，尚未有最终决定”。

截至发稿，SK海力士股价微跌0.082%至每股1223000韩元。4月21日，该公司股价首次突破120万韩元大关，创下新高。

此外，SK海力士即将于4月23日发布一季度财报。据韩国KB证券预测，SK海力士第一季度营业利润将达到40万亿韩元，预计会创下历史新高。

北京商报综合报道